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1. 快速均勻加熱
相較於傳統加熱可縮短製程時間，且可達到均勻輻射受熱。
2. 溫度控/功率控系統
配備快速偵測溫度回饋及加熱功率控制，使產片自動到達設定溫度。
3. 大氣/真空系統
具真空腔體設計，依製程需求可選擇大氣環境或真空環境下加熱。
4. 降溫系統
依製程需求，可使用IR溫控緩降，或是IR加熱結束後開啟通氣，使產品達到不同降溫效果。
5. PC控制系統
系統皆由PC控制符合現代生產機台架構。
針對異質材料的解決方案
1.快速昇溫 ( >30℃/秒)
2.精準控溫 (溫度控制精度 ±5℃)
3.穩定持溫 (PID穩定時間<1秒、穩定性 ±2℃)
* 異質材料的廣泛加熱適用性
* 多晶片及系統構裝的鍵合技術開發
* 高產出效率
* 低翹曲形變方案
規格客製化，歡迎來電詢問。
相較於傳統加熱可縮短製程時間，且可達到均勻輻射受熱。
2. 溫度控/功率控系統
配備快速偵測溫度回饋及加熱功率控制，使產片自動到達設定溫度。
3. 大氣/真空系統
具真空腔體設計，依製程需求可選擇大氣環境或真空環境下加熱。
4. 降溫系統
依製程需求，可使用IR溫控緩降，或是IR加熱結束後開啟通氣，使產品達到不同降溫效果。
5. PC控制系統
系統皆由PC控制符合現代生產機台架構。
針對異質材料的解決方案
1.快速昇溫 ( >30℃/秒)
2.精準控溫 (溫度控制精度 ±5℃)
3.穩定持溫 (PID穩定時間<1秒、穩定性 ±2℃)
* 異質材料的廣泛加熱適用性
* 多晶片及系統構裝的鍵合技術開發
* 高產出效率
* 低翹曲形變方案
規格客製化，歡迎來電詢問。
真空加熱－可以在最低10-3mtorr的壓力下將產品加溫至300 ℃ ，可以不透過氮氣，有效防止產品中的銅在高溫下發生氧化，降低每次成本
快速升溫－通過專利IR加熱技術，升溫速度>30℃/秒
精準控溫－保持產品溫度均勻，溫度控制精度 ±5℃
穩定持溫－毫秒級溫度控制，穩定產品溫度±2℃
環保製程－取代電鍍銅，使用銅粉、銅膏，利用IRAB在真空中加熱燒結，並降溫至60℃後再破真空，即可避免氧化
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快速升溫－通過專利IR加熱技術，升溫速度>30℃/秒
精準控溫－保持產品溫度均勻，溫度控制精度 ±5℃
穩定持溫－毫秒級溫度控制，穩定產品溫度±2℃
環保製程－取代電鍍銅，使用銅粉、銅膏，利用IRAB在真空中加熱燒結，並降溫至60℃後再破真空，即可避免氧化
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